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产品名称：3BHB018162R0001集成栅极换流晶闸管
品牌：ABB
供应商家：厦门雄霸电子商务有限公司漳州分公司
公司地址：南滨大道429号招商局芯云谷3号楼217-01
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详细信息
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001集成栅极换流晶闸管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年问世的用于巨型电力电子成
套装置中的新型电力半导体器件。IGCT是一种基于GTO结构、利用集成栅极结构进行栅极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功
半导体开关器件,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001由于采用了缓冲结构以及浅层发射极技术,
因而使动态损耗降低了约50%，另外，此类器件还在-个芯片上集成了具有良好动态特性的续流二_极管 ，从而以其特的方式实现了晶闸管的低通态
压降、高阻断电压和晶体管稳定的开关特性有机结合.
IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了进展，给电力电子成套装置带来了新的飞K跃。
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001是将GTO芯片与反并联二_极管和栅极驱动电路集成在一起，与其栅极驱动器在外围以低电感方式连接,结合
了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。5SHY4045L0001
3BHB018162R0001具有电流大、电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、损耗低等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。
5SHY4045L0001 3BHB0181 62R0001采用晶闸管技术的GTO是常用的大功轩关器件,它相对于采用晶体管技术的IGBT在截止电压上有更高的性
能，但广泛应用的标准GTO驱动技术造成不均匀的开通和关断过程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收电路和较大功率的栅极驱动单元，因而造成可靠
性下降，价格较高，也不利于串联。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001但是, 在大功率MCT技术尚未成熟以前，IGCT已经成为高压大功率低频
交流器的优选方案。
